IGBT IXDN55N120D1 transistor de commutation 1200V avec diode intégrée

Transistor de Puissance IXDN55N120D1 avec Diode de Roue Libre

Le composant semi-conducteur IXDN55N120D1 combine un transistor IGBT performant et une diode de protection rapide dans un unique boîtier. Cette configuration permet de sécuriser les circuits inductifs contre les inversions de courant de forte intensité.

Protection Intégrée contre les Surtensions

La présence de la diode intégrée évite l'ajout de composants externes superflus, ce qui réduit l'encombrement sur la carte électronique. Vos systèmes d'automatisation profitent d'une compacité accrue et d'une sécurité renforcée.

Avantages pour l'intégration réseau

Ce transistor répond parfaitement aux besoins des variateurs de vitesse et des hacheurs industriels où les courants de retour sont fréquents.

• Modèle compact avec isolation interne renforcée
• Excellente tenue face aux variations brusques de charge
• Dissipation calorifique optimisée pour un usage intensif

Fiche Technique Estimative