IGBT PT 1,2kV Microchip Technology APT25GP120BG boîtier TO247-3

Composant de Puissance Microchip Technology

Le transistor IGBT PT 1,2kV est conçu pour répondre aux exigences des systèmes électroniques industriels modernes. Grâce à une configuration robuste en boîtier TO247-3, ce semi-conducteur de la marque Microchip Technology assure une intégration fiable sur vos circuits imprimés. Sa tension nominale de 1,2kV permet de gérer des charges élevées avec une stabilité constante, limitant ainsi le risque de défaillance électrique lors des pics de charge.

Spécifications Techniques Fondamentales

Ce tableau regroupe les caractéristiques électriques de la pièce pour optimiser la conception de vos cartes.

Performance Thermique et Commutation

Avec une capacité de dissipation s'élevant à 417W, ce composant évacue efficacement la chaleur résiduelle. L'architecture interne Punch-Through réduit les pertes par commutation, ce qui se traduit par un rendement énergétique accru pour l'utilisateur final. Ce produit convient parfaitement aux systèmes nécessitant un contrôle précis du courant électrique sans surchauffe.